设备型号:MNT-S200Oz-L5
原子层沉积设备主要用以沉积通用氧化物薄膜,例如氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化铁(Fe2O3)等。
原子层沉积设备特点:
1 通过控制循环次数,精确控制薄膜厚度,可至单原子层量级;
2 适合于高纵深比的3D工件,例如,纳米管,纳米纤维,纳米孔阵列等;
3 真空腔体融合冷却以及散热设计,既保证工件能够在高温下正常工作又消除了真空腔壁过高而引发的潜在危害;
4 使用精密零部件,符合半导体行业的工艺要求;
5 适合各种特殊情况的镀膜要求;
6 计算机操控,易操作的人机界面,所有参数(包括前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量、脉冲时间、循环次数)均可以在计算机上设置修改。